[전형절차]

- 서류전형 > 면접전형 > 채용검진 > 최종합격

[직무]

- Power Device 개발

[업무내용]

- Trench MOSFET 개발

- Super Junction MOSFET 개발

- IGBT & FRD 개발

[자격요건]

- 전자공학/반도체 관련 학사학위 이상 소지자

- 학점 3.0이상