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채용정보

[원익아이피에스] 2020 반도체/디스플레이 박사 신입 연구원 채용(~12.31)

  • 이하늘
  • 등록일 : 2020.06.26
  • 조회수 : 436

서류 전형 : 인성검사 포함 합격 발표 1차 실무진 면접 PT면접 2차 임원 면접 : 인성면접 모집직무 구분 | 직무 | 분야 근무지 RF Engineer 플라즈마 (Plasma) RF Module개발 설비 개발 Database Specialist S/W (Software) Data Scientist UX/UI Specialist 직무소개 및 우대사항 ORF & Plasma 최신기술 및 응용기술 연구 • Chamber Impedance RF path design o Plasma 장비 및 RF 실험을 통한 공정개선 기술 확보 이 설계 Tool 및 SW활용 및 계측기 사용 이 전기/전자공학, 물리, Plasma physics O RF Component 연구 개발 o Power delivery system, Plasma source, Network design ᄋ G/N. Matcher. RPS. RF Filter 등 RF Module 개발자 • OR-CAD, Auto-CAD, HFSS, 3D Design Tool 98 이 전기/전자공학, 전력전자, 전파통신 관련 이 공정진단 장비 성능 향상을 위한 센서 개발분석 이 진단 센서 개발 및 운용 (Electrical/Chemical/Optical) ᄋ 전자기장. Plasma Condition 복합 simulation o S/W 활용 기술 (C/C++, MATLAB. LabVIEW) 이 반도체, 전기/전자공학, 물리, 기계 전공 o Big Data DB/Web 설계 및 구축 이 분산환경에서 BigData 처리 (ex: Hadoop) o Linux 프로그래밍. WinSv. PowerShell. SQL 처리 o Orade OCP or OCM 취득 이 빅데이터 확보, 분석 및 처리 이 분석 요건의 정의와 적합한 모델 설계 및 검증 | 분석 결과 insight 도출과 최근 연구 흐름 파악 이 해외 논문 Search/Reading/Understanding R/Python . Tensorflow, Spark 118 이 반도체 설비 Domain 지식 보유 우대 ᄋ 수학, 통계학, 산업공학, 컴퓨터 관련 전공 MFC/Win32 API Application • Multi-threaded Programming o Low level graphics API(DirectX/Open GL) 이 UI/UX Design and Prototype tools(Photoshop. etc) 활용 o Direct OpenGL Programming. UI Engine 개발 Plasma 응용기술, 공정 및 H/W 변경관련 Plasma 해석 • In-situ dry cleaning o Precursor 이해 및 응용 (CVDIALD 반응 메커니즘) | 박막 분석기술 (막질개선 인자 파악 및 개선 이 신소재, 재료, 금속, 화학, 화공, 반도체, 물리 전공 • Plasma 8 * ||0 이 반응 Methanism 분석, 박막분석 Precursor 이해 및 응용 (신규 Precursor도입 고찰, 평가 분석) Defect 4. In-situ dry deaning 이 신소재, 재료, 금속, 화학, 화공, 반도체, 물리 전공 이 공간분할 ALD 개념 및 이해를 통한 ALD 공간 분할 - DRAM/Capacitor 공정 이해 Precursor 물질 이해 이 박막분석 (TEM. AFM. SIMS. RBS. XRD. XPS 등) | 양산장비, 공정기술 (양산에 필요한 기반 정보) 이 신소재, 재료, 금속 화학, 화공, 반도체, 물리 전공 o Basic Batch 기술, 반응 메커니즘 분석 및 박막 분석기술 o Defect 분석 (공정별 defect 유형이해, 원인규명 등) o Process Architecture. 소자구조이해 및 신공정 예측 이 신소재, 재료, 금속, 화학, 화공, 반도체, 물리 전공 이 물리, 화학, 플라즈마 전공자 o Thermo-dynamics. Chem reaction.Quantum physicss | 이론연구 | O DE. PECVD의 공정 계획, Plasma source 설계 | 정동 역학, Phy/Chem/Quatum. Electro/Magnetic field | 이론 연구 이 유동, 열 해석, 화학반응 전자기 해석 전공 이 열처리, 진공중착 공정개발 이 수율확보를 위한 공정개선 및 Display 공저기술 개발 이 전자 물리, 재료공학, 화학, 화공 전공 0 CVDIALD 장비 운영 o Surface Chemistry. Selective Epi 공정 개발 ORF Source Design, RF Circuit Plasma physics o Plasma Diagnosis, Equipment Sensor | 현 공정기술의 Challenge에 대한 이해를 통한 연구개발 이 신소재/재료 금속, 전기/전자/전파, 화학/물리, 화공, 반도체 전공 본사 (평택) Metal High-k 공정 개발 Oxide-Anneal LPCVD Backplane /EVEN Pl Curing 신제품 공정 개발 공정개발 02 Lab 지원자격 박사학위 소지자 | 근무조건 근무형태 : 정규직 . 근무일시 : 주 5일 (월~금), 부서별 유연근로제 실시 유의사항 서류 전형 합격자는 개별 연락을 통해 진행하고 있습니다. 입사지원 서류에 허위사실이 발견될 경우, 채용 확정 이후라도 채용이 취소될 수 있습니다. 해외근무 결격사유가 없는 자에 한해 지원합니다. 보훈 대상자는 관련법에 의거 우대합니다.

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