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[매그나칩반도체] Power Device 개발 엔지니어 신입사원 채용 (~12.28)
- 한가연
- 등록일 : 2020.12.24
- 조회수 : 468
[전형절차]
- 서류전형 > 면접전형 > 채용검진 > 최종합격
[직무]
- Power Device 개발
[업무내용]
- Trench MOSFET 개발
- Super Junction MOSFET 개발
- IGBT & FRD 개발
[자격요건]
- 전자공학/반도체 관련 학사학위 이상 소지자
- 학점 3.0이상
